Micron Technology, который занимает третье в мире место по производству компьютерной памяти, немного задерживается с запуском производства памяти по технологии 20 нм (dynamic random access memory, DRAM). Впрочем, сейчас Micron довольно успешно увеличивает выпуск 20-нм и может начать использовать 16-нм технологию уже к концу 2016 года.
Тестовое производство DRAM по технологическому процессу 20 нм Micron Technology начала еще в конце 2014 года, а в середине этого года начала коммерческие поставки памяти.
Производственный процесс 16 нм – первая технология, разработанная совместными усилиями инженеров Micron из Японии и США. А в апреле в Micron заявили, что первые образцы микросхем памяти уже производятся на фабрике, которая раньше принадлежала Elpida (Япония).
Разработчики DRAM считают, что увеличение ёмкости микросхем в дальнейшем будет требовать перейти с использования структуры ячейки 6F², которая применяется сейчас, на 4F². Это потребует внедрения новой архитектуры транзисторов и приведет к дополнительным сложностям для производителей памяти.