Компания Samsung, один из крупнейших в мире производителей микроэлектроники, объявила о начале создания модулей памяти DDR4 емкостью 128 ГБ. Напомним, что до этого момента объем памяти последних модулей был ограничен цифрой 64 ГБ.
Естественно, речь идет о специальных регистровых модулях, предназначенных для серверов, а не для обычных ПК. В новых DDR4 используется сочетание нескольких кристаллов DRAM, которые связаны между собой с помощью технологии TSV. О похожих технологиях Samsung уже упоминалось при создании модулей DDR3 RDIMM ёмкостью 32 ГБ. Так, в каждом буферизированном модуле объемом 128 ГБ присутствуют 144 чипа DDR4, собранных в 36 микросхем по 4 ГБ каждая. В микросхему входит 4 чипа, которые соединены межслойными контактами, в один из них встроен буфер. Отмечено, что на ближайшее будущее Samsung запланировала создание модулей DDR4-2667 и DDR4-3200.
Источник: //www.vladtime.ru/
