Проблема перегрева чипов

Как известно компоненты электронной техники сильно перегреваются. Это связано с тем, что в одном чипе сконцентрировано большое количество элементов. Поэтому нагрев представляет собой большую проблему. Из-за этого происходит неконтролируемый расход энергии. Поэтому составные части электронного устройства могут вести себя непредсказуемо и в итоге ломаться. В связи с этим важной задачей становиться контроль степени нагрева составных компонентов электронного устройства.

Решение проблемы перегрева

elektronnye-devajsy-ohlazhdaet-almazСейчас довольно важным является проведение охлаждения устройств с применением нитрита галлия. Представитель сингапурского института Йоган Хан отметил уникальную способность такого материала проводить работы с напряжением повышенного значения. При этом, по словам ученого, повышается производительность материала и его способность пропускать напряжение.
Есть и плохая сторона, которая связана с тем, что в чипе такого типа тепло собирается на небольших площадках, что способствует образованию участков с высокой температурой.

Экспериментальные исследования

Учёный совместно с коллегами провёл экспериментальные исследования с применением математических вычислений. В их результате было обнаружено, что слой минерала имеет способность по распределению тепла. Это помогает повысить производительность устройств с термической точки зрения, которые сконструированы с применением этого минерала.

Учёные создали чип необходимый для проведения испытания, у которого имелись восемь точек для нагревательного процесса. Параметры их составляли примерно 0,3 и 0,45 миллиметра. После этого на его нанесли алмазный слой, который изготовили с применением осаждающей технологии.

Распределитель алмазного вида для тепла и тестируемый чип связали путём сжатия на термической основе. Потом к ним прикрепили микрокулер и устройство с микродвигателем, который работает в толчковом режиме.

Читайте также:
Siemens готовит свой первый смартфон

Были проведены апробации устройства при выработке энергии в пределах от 10 и до 120 ватт. В эксперименте участвовали чипы до 200 микрометров. Такая конструкция позволяла поддерживать температурный показатель структуры в пределах, не превышающих 160 градусов по шкале Цельсия.

Теперь, максимальный температурный показатель чипа, в котором применяется для охлаждения данная технология, на 40 процентов меньше, чем у устройств не использующих для распределения тепловой слой.

Читайте также: Новости Новороссии.

blank